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本文標(biāo)題："晶片良率檢測(cè)顯微鏡-檢查晶片切片后的變化"
新聞來源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-4-13 16:37:02 本站主頁(yè)地址：http://m.mhzljd.cn
晶片良率檢測(cè)顯微鏡-檢查晶片是否在切割分離時(shí)有發(fā)生破損
晶圓測(cè)試與切割（Testing and Separation）
所有IC設(shè)計(jì)者對(duì)其想要設(shè)計(jì)之積體電路，都要面臨關(guān)于氧化蝕刻沉積或滲雜，乃至于層與層之間種種的制程上的問題，
為確保各個(gè)制造過程中的品質(zhì)，往往會(huì)在晶圓上設(shè)計(jì)幾個(gè)特殊的晶片，用來測(cè)試并監(jiān)控制程階段中產(chǎn)品的好壞，
故在每個(gè)制程告一段落之后，這些晶片盡可能的多加監(jiān)測(cè)，若在整個(gè)制程未完成之前，
由測(cè)試晶片發(fā)現(xiàn)瑕疵，則整批晶圓可能停產(chǎn)下線或需在進(jìn)一步改良方可繼續(xù)往后的制程。
而在完成所有前段制程之后，更要用一系列的電腦控制測(cè)試設(shè)備，透過細(xì)小探針與這些晶片的鋁墊接觸，量測(cè)其制程參數(shù)值、電性與功能。合格后再對(duì)各個(gè)晶片逐一進(jìn)行功能測(cè)試，并在有缺陷的晶片上蓋印墨點(diǎn)，以利揀選辨認(rèn)。
晶圓測(cè)試后，則送到切割機(jī)臺(tái)，利用鉆石刀沿著晶圓上晶片的切割道將晶片完全切離或不切穿晶圓而留下連續(xù)的凹陷切槽，再將晶圓翻面置放于軟質(zhì)晶圓墊板上，隨后以滾子沿切割槽位置輕輕滾壓，而使晶片沿著切割痕方向斷裂，分離成獨(dú)立晶片。這種切割分離的方式，必須根據(jù)晶圓長(zhǎng)晶的方向＜100＞來切割，如此才能確保在壓裂分離時(shí)，晶片斷開的剖面方向完全垂直晶圓平面，當(dāng)然切割后之晶片亦須經(jīng)過顯微鏡目測(cè)揀選，檢查晶片是否在切割分離時(shí)有發(fā)生破損，若通過此檢測(cè)，才算是一片可用的良好晶片。而由晶圓制造、晶圓測(cè)試、晶片切割與再測(cè)試的整個(gè)晶片良率（yield），
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