---
---
---(點擊查看產(chǎn)品報價)
本文標題："AFM顯微鏡量測CD線寬量測技術簡介"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2013-5-29 0:36:59 本站主頁地址：http://m.mhzljd.cn
AFM顯微鏡量測CD線寬量測技術簡介
I.納米繞射及散射線寬量測技術
(1) AFM 量測 CD 線寬量測技術，建置前后傾斜所需調(diào)整機構，再以縫補技術補償誤差，
發(fā)展 AFM 探針輪廓量測技術，補償 AFM 探針輪廓外形誤差，可與縫補技術補償誤
差方法比對驗證，以提高 AFM 量測 CD 線寬量測技術之精度。
(2)光學式量測線寬，將購入調(diào)變式干涉顯微鏡，需了解其量測原理與光學結構，以做為
評估量測誤差分析之依據(jù)，了解光學量測方法之最佳能力與限制條件。
II.階高標準片(介于 1-100 μm)研制
FY96 將進行開發(fā)半導體制程研制 50 nm~500 nm 階高標準片，同時進行測試將
FY95 完成之 1-100 μm 階高標準，切割標準片，可降低成本外，整體尺寸與重量都能大
幅降低，以線切割方式，將階高標準片浸于冷卻液，避免高溫，加工屑料損傷鏡面，加
工完成后，再以超音波清潔油污與殘屑。
.
Ⅲ 連續(xù)角度原級標準研制
連續(xù)角度原級標準研制于 FY95 完成，后續(xù)將會應用此項成果于國家標準實驗室之
校正，應用小角度干射儀量校正自動視準儀。
IV. 納米微粒量測系統(tǒng)研制
納米粒徑量測系統(tǒng)建置中的系統(tǒng)主要都是針對溼式聚苯乙烯的標準粉體，量測系統(tǒng)
包括已完成的動態(tài)光散射儀、今年購入的電氣遷移率法(DMA)、及 FY96 建置的的電重
力平衡法(EAB)。產(chǎn)業(yè)的需求除聚苯乙烯標準粉體外，也希望能針對一般納米粉體如
TiO2、氧化鋅、納米金、及納米銀等，另外乾式粉體及納米粉體的安全性也是未來的研
究重點。
V.納米薄膜量測標準研制和 particles on wafer
FY96 之重點為增加納米薄膜量測標準系統(tǒng)的能量。評估之重點為: X-ray wavelength
之追溯、校正系統(tǒng)評估方法設計、薄膜介面粗度、等效薄膜等、量測軟體之追溯等。順
利完成上述工作重點，建立光學式薄膜厚度量測系統(tǒng)，量測二氧化矽薄膜厚度 1.5 nm-200
nm，最佳量測不確定度 0.4 nm+0.5%。
就晶圓表面納米微粒量測技術而言，量測的準確度決定于一是表面納米微粒量測，
另一是微粒粒徑的校正與追溯。在 FY96，建立光學量測系統(tǒng)，測試系統(tǒng)之功能與能力，
建立表面納米微粒量測能力可達 1000 nm
所有資料用于交流學習之用，如有版權問題請聯(lián)系，禁止復制,轉(zhuǎn)載注明地址
上海光學儀器一廠-專業(yè)顯微鏡制造商 提供最合理的顯微鏡價格
合作站點：http://www.sgaaa.com/顯微鏡百科