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本文標(biāo)題:"高分辨的電子顯微影像測(cè)量分析儀器-顯微鏡常識(shí)"

新聞來(lái)源:未知 發(fā)布時(shí)間:2013-7-22 0:57:34 本站主頁(yè)地址:http://m.mhzljd.cn

高分辨的電子顯微影像測(cè)量分析儀器-顯微鏡常識(shí)


溫高低對(duì)低劑差排環(huán)的效應(yīng)較小,溫區(qū)間間隔需較大才可看出有明顯變化。
由于單晶碳化矽含加工制造缺陷,無(wú)法提供空孔有之成核點(diǎn),因此在所有條件下皆未發(fā)現(xiàn)空孔
的存在。差排環(huán)的型態(tài),目前推是由格隙原子團(tuán)聚,而造成之Frank 型多一排
原子之差排環(huán)。高分辨之電子顯微影像顯示某些區(qū)域極有可能符合以上推,但
在未超出影像范圍區(qū)域無(wú)法顯示完整差排環(huán)的端,因此此部分仍須努。未
研究將進(jìn)高溫以及高劑之照射實(shí)驗(yàn),以解差排環(huán)是否會(huì)在6H 碳化矽
結(jié)構(gòu)下演化為差排網(wǎng)或其他缺陷型態(tài),并深入探討其機(jī)制

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