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本文標題："氧化鋁金屬分析及顯微硬度量測儀器-單晶硅檢測"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2013-10-23 20:17:15 本站主頁地址：http://m.mhzljd.cn
氧化鋁金屬分析儀器-單晶硅檢測顯微鏡價格
利用凱氏長晶法(Kyropoulos method)來生長氧化鋁單晶，探討部分機械性質。
起始原料用wt.75%塊料及25wt.%粉料加入鎢鉬坩鍋，加熱至2100℃后以15mV/hr.的
降電壓速率生長氧化鋁單晶。
本研究分為兩部分：
第一部分以固定負載與正弦函數震盪方式施加負載的奈米壓痕試驗，
對氧化鋁單晶不同平面進行楊氏模數與硬度之量測。
第二部分為水中窩蝕試驗與空氣中之噴砂沖蝕試驗。實驗之試片以電子顯微鏡觀察顯微組織及瞭解損傷程度。
結果顯示，氧化鋁單晶值楊氏模數介于260GPa～210GPa之間，僅為一般使用值的70%，
硬度介于30GPa～20GPa之間符合需求。殘留奈米壓痕附近并沒有明顯隆起，
壓痕潛變應力指數為0.5，低于一般傳統拉伸潛變值。窩蝕試驗亦發(fā)現氧化鋁單晶潛伏期長達10小時，
10小時至16小時為加速期，直到32小時的沖蝕才達到重量損失速率最大值。
比較SiC#120與SiC#280兩者對氧化鋁單晶之沖蝕率，較大的沖蝕材有較大的沖蝕率，
及較硬沖蝕材比較軟沖蝕材造成更嚴重之損傷
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