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因此對晶體取向必須引起足
夠的重視.可能預期到的與晶體取向有關的工藝.一般地說,如
果一種物理性質不是標量,則在大多數(shù)晶態(tài)材料中它將是方向敏
感的叫.用二階張量表示的性質,幾乎包括半導體工藝中通常最
感興趣的所有性質(電阻率、熱傳導率、擴散系數(shù)),它們在立方晶
系中都是與方向無關的(而目前主要的半導體大多數(shù)都是屬于立
方晶系的).
然而,在試圖事先預言某些測試行為方面卻存在一些問題.
問題產生的原因是由于難以確定某些性質(例如硬度、腐蝕速
度)的確切的定義,或是由于對某一性質的顯然簡單的測試中卻
可能以某種難以捉摸的方式意外地牽連了一些附加現(xiàn)象
測定晶體取向有多種方法.這些方法大致可分蕘
兩大類:一類是借助于直接觀察一些可辨別的特征,如生長小平面
或腐蝕坑;另一類是X射線衍射.所有直觀的方法都需要對所硼
究的具體材料的生長、腐蝕和破裂等特征事先有所認識.X射線
定向法不需要上述附加的知識,但卻需要專門的設備。對上述的
任一種情況,都假定被檢測的半導體的晶體結構是已知的
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