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本文標(biāo)題："晶圓片鍵合和層間轉(zhuǎn)移可以制備較復(fù)雜的結(jié)構(gòu)"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2016-9-28 12:28:20 本站主頁地址：http://m.mhzljd.cn
晶圓片鍵合和層間轉(zhuǎn)移可以制備較復(fù)雜的結(jié)構(gòu)
晶圓片鍵合和層間轉(zhuǎn)移可以制備較復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。在流體器件中晶圓
片堆疊可制備四周封閉的管道；在微機電系統(tǒng)(MEMS)中鍵合，可制備含
有密封腔的諧振器件；鍵合可以將單晶硅附在非晶氧化物上，用于電絕
緣。
這些基本工藝可以通過多次組合而實現(xiàn)器件制備，工藝復(fù)雜性常用
光刻次數(shù)來表示：對于簡單的P型金屬氧化物半導(dǎo)體(P-Type Metal．Ox
ide Semiconductor，PMOS)晶體管只要進行6次光刻步驟；很多MEMS，
太陽能電池和平板顯示器件可以用2～6次光刻步驟來完成；2000年的0
．18 tan互補金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semicon
ductor，CMOS)電路則需25次光刻步驟，而0．5。0．8 banCMOS工藝則
需使用15塊掩模版。如果將CMOS與其他功能結(jié)合，如雙極型晶體管、集
成顯示器或傳感器，需在CMOS工藝基礎(chǔ)上增加6次光刻步驟。
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