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本文標(biāo)題："過(guò)熱應(yīng)力,封裝材料熔化樣品分析顯微鏡"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2017-6-27 22:24:53 本站主頁(yè)地址：http://m.mhzljd.cn
過(guò)熱應(yīng)力,封裝材料熔化樣品分析顯微鏡
過(guò)熱應(yīng)力
當(dāng)EOS出現(xiàn)時(shí)，電子元件可能由于過(guò)量的焦耳熱，材料屬性發(fā)
生變化、熔化或起火。這種狀態(tài)可以稱(chēng)為過(guò)熱應(yīng)力(TOS)。過(guò)熱應(yīng)
力可以導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)過(guò)電流或過(guò)電功率。。當(dāng)元器件遭受熱擊穿、熱
不穩(wěn)定性或熱失控時(shí)，過(guò)熱應(yīng)力都可能發(fā)生。過(guò)熱應(yīng)力導(dǎo)致的失效
特征如下：
·封裝電源或信號(hào)引腳外觀熔化；
·封裝外觀開(kāi)裂；
·封裝外觀錯(cuò)位(如頂部脫離)；
·封裝材料熔化；
·模壓塑料變色；
·模壓塑料可見(jiàn)膨脹或燒蝕；
·模壓塑料炭化；
·綁定線熔化；
·綁定線汽化；
·綁定線一綁定pad分離；
·綁定pad開(kāi)裂和分層；
·電遷移；
·介質(zhì)擊穿。
EOS與過(guò)熱應(yīng)力
EOS會(huì)導(dǎo)致過(guò)熱應(yīng)力。例如，過(guò)電壓半導(dǎo)體雙極型晶體管(BJT)
、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或LDMOS晶體管經(jīng)歷電擊穿后，會(huì)產(chǎn)生熱
不穩(wěn)定性，然后熱失控。但是，并不是所有形式的EOS都會(huì)導(dǎo)致熱
失效。
在某些情況下，過(guò)電壓不會(huì)導(dǎo)致過(guò)熱應(yīng)力。例如，絕緣材料電
擊穿會(huì)導(dǎo)致介電質(zhì)的損壞以及影響器件、電路或系統(tǒng)的可操作性。
EOS會(huì)導(dǎo)致材料性能非破壞性的變化。在這種情況下，過(guò)熱應(yīng)力可
能不會(huì)表現(xiàn)出來(lái)，或者沒(méi)有出現(xiàn)我們比較關(guān)心的熔化或起火。過(guò)熱
應(yīng)力也可能由于系統(tǒng)工作的內(nèi)熱、老化和功能性過(guò)電牙而出現(xiàn)。
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