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掃描延伸電阻顯微儀是對映出樣品內隱含的電導率或電阻率的二維分佈對比影像,可應用于半導體性及III-V、II- V I半導體,如LEDs、photo-detectors及l(fā)aser diode等。
此外SSRM對微小變量的摻雜濃度,亦有極佳的解析能力。
因為導電式顯微儀的電流感測靈敏度極佳,
故可應用于電性極差或厚度為奈米尺度的絕緣性樣品,如半導體、DLC薄膜、生醫(yī)材料(bio-materials)、導電高分子(conductive polymer)、氧化物(oxides)
及鐵電材料忙(ferro-electric material)。
例如
(1)應用于檢測介電層薄膜的電性瑕疵:在樣品SiO2,可藉由此方法來判斷薄膜的均勻性或介電層的崩潰電壓;
(2)應用于檢測連電性高分子薄膜的電性。
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