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本文標題："量測金屬連線電容等微小電容的儀器常識"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2013-5-30 0:16:06 本站主頁地址：http://m.mhzljd.cn
量測金屬連線電容等微小電容的儀器
由于金屬連線(interconnect) 的寄生電容對電路的影響
越來越大，對先進的超大型積體電路而言，金屬連線配置
的最佳化已變成決定電路好壞的其中一個重大關鍵
電路設計工程師必須在設計過程中，適當地把這些寄生的
電容考慮進來，而要做到這點，那就必須先對金屬連線的
寄生電容做完整且正確的量測與模型化。
然而，金屬連線電容的量測并不是一件簡單的事。
傳統(tǒng)的電感電容電阻量測器(LCR meter) 是最常用來量測
電容的工具，但是利用電感電容電阻量測器量測晶片上的待測電容(CDUT) 時，整個量測系統(tǒng)中的寄生電容，
或是量測時探針墊貢獻的寄生電容，都會影響量測的精準度，所以設計給電感電容電阻量測器量測的電容，
通常會設計成容值高達數十pico-farad的大面積電容，這樣可以降低校正量測環(huán)境寄生電容不夠精準時所造成的影響。
然而金屬連線電容的單位面積電容小，待測電容所需的面積更大，這在工業(yè)界的應用上是相當不方便的。
介紹的電荷式電容量測方法(Charge-Based Capacitance Measurement, CBCM)是一種簡單而且可直接在晶片上作量測的電容量測方法，
這個方法在1996年首次被提出來[8]，由于其量測精準度可小至0.01 fento-Farad，
所以電荷式電容量測非常適合用來量測像金屬連線電容這樣的微小電容。
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