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硅晶太陽能電池大面積制程之高效率轉換的問題詳細
探討,提出一種新的結構與制程技術,使實際尺寸為 150 mm×150 mm 的
太陽能芯片之轉換效率高達 18.6%,
主要介紹的制程技術發(fā)展分為下列三項:
(1)使用ㄧ種結合激光圖案與蝕刻技術的新方法,
(2)絲網(wǎng)印刷正面及背面金屬電極材料之優(yōu)化,
(3)改良正面電極印刷方法以減少光吸收的損耗
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