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本文標(biāo)題："金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)質(zhì)量檢測(cè)顯微鏡"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2017-6-24 19:57:25 本站主頁(yè)地址：http://m.mhzljd.cn
金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)質(zhì)量檢測(cè)顯微鏡
試質(zhì)量指標(biāo)的詳細(xì)分析。不僅對(duì)現(xiàn)有指標(biāo)的不同用途進(jìn)行了探索(
產(chǎn)品質(zhì)量對(duì)比測(cè)試質(zhì)量)，而且提出了一種新的指標(biāo)。新指標(biāo)的基
本假設(shè)就是測(cè)試質(zhì)量應(yīng)該隨著測(cè)試模式集而變化，并且與實(shí)際覆蓋
率和可能檢測(cè)到的小延遲缺陷的尺寸具有更好的相關(guān)性。
在未來(lái)的研究挑戰(zhàn)中，與小延遲缺陷相關(guān)的失效的有效診斷和
物理失效分析(PFA)是理解這些缺陷的行為和產(chǎn)生源頭的關(guān)鍵所在
。注意到過(guò)渡故障的診斷／PFA是冗長(zhǎng)乏味的并在先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)
中逐漸成為挑戰(zhàn)，小延遲缺陷的診斷／PFA是很艱巨的。就未來(lái)而
言，隨著技術(shù)水平革新到20nm以下以及像使用Fin—Fet的特殊的電
路結(jié)構(gòu)，可能需要對(duì)小延遲缺陷具有清晰和一貫的了解。相比于基
體互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)，能看到在FinFet中小延遲缺陷是
如何影響電路的設(shè)計(jì)和性能將會(huì)是非常有意思的事情
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