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曝光后堅膜
改善抗蝕劑抗蝕性能的另一種技術是曝光后堅膜。工藝步驟是=涂膠,
曝光,然后再將版子在90℃下烘lOmln。這一措施是為了防止抗蝕劑在顯影
期間的浮膠問題,其目的是為了提高抗蝕劑的抗蝕性能。曝光后堅膜對平
滑的掩膜材料表面來說更為有效。因為平滑的表面同抗蝕劑的結合力較差
。曝光后堅膜的突出優(yōu)點是能消除曝光時產生的駐波圖形和顯影前的部分
潛像。由于用了高反射率的襯底,駐波現(xiàn)象是一個普遍問題。按照抗蝕劑
中增感劑受熱后將重新分布的理論,曝光后堅膜確能消除駐波圖形,.改
善圖形的邊緣情況。-曝光后堅膜的唯一缺點是,與一般的方法相比,顯影
逮率略有降低
另一個技術是在顯影后和后烘之前使抗蝕荊曝光;顯影后曝光能使抗
蝕劑中的氮氣及早放出,使得抗蝕劑在后烘期間變得更致密。顯影后曝光
消除了在后烘期間由于氮氣的釋放而形成的針孔,保證了以后的刻蝕質量
。 ·一 。
典型盼顯影后曝光工藝是。涂敷,前烘,曝光(成像),顯影,然后再
用短波長汞燈對抗蝕劑照射5一15s。這里關鍵的問題是保證顯影后曝光的
時間與用于成像的曝光時間相匹配。顯影后曝光齡突出優(yōu)點是去膠方便,
大量的實踐已經證明,正性抗蝕劑的顯影后曝光大大簡化了去膠工藝。、
一般情況下正性抗蝕搿的前烘溫度較低,但已能基本保證抗蝕劑的粘附力
和抗蝕性能。
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