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本文標題："金屬、陶瓷、元件等材料顯微結(jié)構(gòu)尺寸測量"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2013-8-5 23:04:17 本站主頁地址：http://m.mhzljd.cn
金屬、陶瓷、元件等材料顯微結(jié)構(gòu)尺寸測量
近年來對金屬、陶瓷、半導(dǎo)體元件等材料之研究，可發(fā)現(xiàn)這些材料之薄膜特性，會受到其表
面或界面晶體結(jié)構(gòu)的影響甚大。
在薄膜材料的性質(zhì)上，系受到制程、顯微結(jié)構(gòu)、結(jié)晶方向、厚度、
雜質(zhì)以及界面等因素影響，
即使相同成份，所得到的性質(zhì)也會有些差異。為了探討材料晶向結(jié)
構(gòu)，以及其薄膜內(nèi)應(yīng)力分析，以得知金屬薄膜之特性，在本次實驗中，
將使用 X 光繞射儀量測晶向結(jié)構(gòu)以以及 3D 表面輪廓儀來量測薄膜的內(nèi)應(yīng)力。
薄膜制作
使用硅晶圓(Silicon wafer)為P-type (100)的芯片，硅芯片經(jīng)過化學(xué)機械單面拋光，其電阻率
介于5~10 Ω-cm，直徑為99.5 mm~100.5 mm，厚度則為500~550 μm。
將硅晶圓切割成2 cm × 2cm
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