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本文標題："針對集成電路的材料多層金屬鍍層結構"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2016-7-4 19:16:33 本站主頁地址：http://m.mhzljd.cn
針對集成電路的材料多層金屬鍍層結構
針對集成電路的材料科學研究，目的都是在努力避免微電路的災難
性老化問題。因此在多層金屬鍍層結構中，高分子膜特別是耐高溫
的聚酰亞胺正在逐漸替代陶瓷。這里的一個擔心是銅通過高分子膜
進入硅中的擴散問題。因此，金屬通過高分子的擴散成為一個重要
的研究領域并且已經表明貴金屬(包括銅)的擴散非常慢，很顯然是
由于金屬原子誘發(fā)高分子鏈的交聯(lián)。截然不同的材料科學與工程領
域在微電路技術的推動下正走向交叉聯(lián)合。
剛才粗略描述了基于由第Ⅲ主族氮化物型化合物(GaN、InN、A1N或
三元化合物)組成的異質結，能夠發(fā)出非常明亮的藍光或綠光的半
導體激光器的發(fā)展。這些激光器能夠產生以前采用其它半導體所不
能達到的波長，并且產生的激光亮度高、壽命長，以至于人們正在
考慮將它們用作交通信號燈。不只是因為它們很亮且壽命長，而且
每單位發(fā)射的光所需成本是白熾燈的十分之一，而且它們的壽命實
際上比普通光源高出100倍(典型的為100000h)。配合適當?shù)臒晒鈩?/div>
，這些裝置還能夠產生明亮的白光，有望應用到普通家庭作為照明
光源。這種想法現(xiàn)已被廣泛接受，氮化鎵及其“合金”是自硅以來
最重要的半導體，由其產生的光將產生一場深遠的技術革命。
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